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解決方案
氧化行業(yè)解決方案
DE壁板氧化再生工藝流程
DE壁板氧化再生工藝
服務(wù)履歷
Open mask行業(yè)解決方案
Open Mask操作流程
QC 流程圖
Open Mask清洗工藝流程
Open Mask清洗規格說(shuō)明
清洗規格
半導體行業(yè)解決方案
光伏清洗再生工藝流程-載板
半導體部件清洗再生工藝流程
陶瓷熔射行業(yè)解決方案
DE陶瓷部件清洗再生工藝流程
DE陶瓷部件清洗工藝
服務(wù)履歷
部件表面處理工藝流程
陶瓷熔射簡(jiǎn)介
陶瓷熔射業(yè)務(wù)
產(chǎn)品展示(光電)
產(chǎn)品展示(半導體)
產(chǎn)品展示(半導體ESC)
陶瓷熔射技術(shù)模塊
陶瓷熔射衍生工藝(退鍍技術(shù))
陶瓷熔射衍生工藝(氧化新工藝)
部件表面處理工藝流程
性能測試氧化新工藝性能指標
陶瓷熔射衍生工藝(清洗再生工藝)
部件表面處理工藝流程
洗凈再生技術(shù)能力
特別產(chǎn)品(上電級的處理)
服務(wù)履歷
洗凈行業(yè)解決方案
PVD部件清洗再生工藝流程
服務(wù)履歷
CF部件清洗再生工藝流程
IMP清洗工藝流程
服務(wù)履歷
內襯板部件清洗再生工藝流程
服務(wù)履歷
品控能力
洗凈再生技術(shù)能力
高階制程精密洗凈優(yōu)勢
光伏清洗再生工藝流程-載板
CVD行業(yè)解決方案
CVD部件清洗再生工藝流程-Diffuser
CVD部件清洗再生工藝流程-Backing Plate
CVD部件清洗再生工藝流程1-Susceptor
CVD部件清洗再生工藝流程2-Susceptor
CVD部件清洗再生工藝流程-Shadow Frame
核心技術(shù)
服務(wù)履歷
加工行業(yè)解決方案
加工部件清洗工藝流程
加工部件清洗工藝
服務(wù)履歷
Open Mask操作流程

QC 流程圖

For Ag/MG/YB鍍膜清洗流程及輔助臺車(chē)說(shuō)明

Open Mask清洗工藝流程

① IQC

對來(lái)料的mask進(jìn)行外觀(guān)檢查,檢查過(guò)程全程錄像,避免雙方確認結果不一致。

強光檢查mask表面是否有折傷、擊傷、劃傷、脫焊等異常。

暗室檢查mask表面是否有臟污,銹斑。

檢查過(guò)程中對異常問(wèn)題進(jìn)行圖示標注,郵件發(fā)給客戶(hù)進(jìn)行確認。

對mask表面進(jìn)行TP、CD兩個(gè)項目的檢測,TP及CD 檢測P各36個(gè)點(diǎn)位。

 

② 化學(xué)除膜

化學(xué)除膜:將mask平移至自動(dòng)清洗線(xiàn)上,按程序設定的浸泡時(shí)間進(jìn)行化學(xué)浸泡及DI純水清洗(純水阻值為:>10MΩ)。

化學(xué)除膜-lif:使用60度熱DI純水浸泡45min,DI純水沖洗2遍后,放入DI純水槽內浸泡15分鐘。

化學(xué)除膜-Mg/Ag:使用電子級雙氧水溶液進(jìn)行化學(xué)除膜,浸泡時(shí)間50min,(每15min檢測槽內反應狀態(tài)及槽液濃度)。

 

③ 純水浸泡

使用超聲波震蕩的方法去除mask表面殘留的藥液及微顆粒,確保mask表面潔凈(功率:1200w,頻率:40Hz,時(shí)間15min)。

 

④ 防銹清洗

對除膜后的mask做IPA沖洗10min以上,確保表面無(wú)銹跡殘留。

自動(dòng)清洗線(xiàn)升降速度為5mm/S,左右移動(dòng)速度為10mm/S(程序可設定為手動(dòng)或自動(dòng))。

 

⑤ 烘干

將mask搬運至專(zhuān)干燥車(chē)上對表面進(jìn)行檢查確認,要求無(wú)水漬殘留。

暗室內強光燈檢查mask表面是否有水印殘留,如有水印可使用純水擦拭,后使用酒精擦干。

將mask固定后放入專(zhuān)用無(wú)塵干燥箱內,干燥過(guò)程禁止打開(kāi)烘箱,干燥溫度:60±1℃,干燥時(shí)間180min。

干燥箱開(kāi)啟后充入氮氣,保證干燥箱內為正壓5-10Mpa。

Open Mask清洗規格說(shuō)明
Mask缺陷區域以及定義
序號 區域 說(shuō)明規格說(shuō)明 圖示
1 A區 Panel矢鍵鍍膜區域

2 B區 對位Mark、設計標示區域
3 C區 焊點(diǎn)區域
4 D區 Frame區域
Mask清洗規格
No 項目 規格說(shuō)明 Recycle前 Recycle后 備注
1 TP <50um <30um <30um /
2 CD <50um <30um 1.<30um
2. Diff <10um
/
3 平坦度 <350um TBD 1.<250um
2. Diff< 50um
/
清洗規格
序號 缺陷 說(shuō)明 清洗前 清洗后
1 折傷 不允許 不允許 不允許
2 擊傷 A區:不允許 B區:無(wú)定義
C區:無(wú)定義 D區:無(wú)定義
A區:不允許B區:無(wú)定義
C區:無(wú)定義D區:無(wú)定義
A區:不允許B區:無(wú)定義
C區:無(wú)定義 D區:無(wú)定義
3 銹斑 不允許 允許清理 不允許
4 臟污 1.可清除處理者·不計(風(fēng)槍、酒精擦拭)
2.不可清除者:
A/B區:不允許
C/D區:目視不可見(jiàn)
1.可清除處理者·不計(風(fēng)槍、酒精擦拭
2.不可清除者:
A/B區:不允許 C/D區:目視不可見(jiàn)
1.可清除處理者,不計(風(fēng)槍、酒精擦
拭)
2.不可清除者:
A/B區:不允許C/D區:目視不可見(jiàn)
5 劃傷 1.無(wú)感劃傷: 深度≤5um屬無(wú)感刮·不計    
2.有感劃傷  
全球潔凈生產(chǎn)設備服務(wù)的領(lǐng)先企業(yè) OK
6 Particle &化
學(xué) 殘渣
1.可清除處理者·不計(風(fēng)槍、酒精擦拭)
2.不可清除者:
A/B區:不允許
C/D區:目視不可見(jiàn)
NA 1.可清除處理者·不計(風(fēng)槍、酒精擦
拭)
2.不可清除者:
A/B區:不允許C/D區:目視不可見(jiàn)
7 焊點(diǎn) 焊點(diǎn)不能出現脫焊 焊點(diǎn)不能出現脫焊 焊點(diǎn)不能出現脫焊
8 TP點(diǎn)、Mark
等標示開(kāi)口堵
A區:不允許B區:不允許
C區:無(wú)定義D區:無(wú)定義
A區:不允許B區:不允許
C區:無(wú)定義D區:無(wú)定義
A區:不允許B區:不允許
C區:無(wú)定義D區:無(wú)定義
9 鍍膜殘留 A區:不允許B區:不允許
C區:無(wú)定義D區:無(wú)定義
NA A區:不允許B區:不允許
C區:無(wú)定義D區:無(wú)定義
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